5月13日，应煤炭高效低碳利用全国重点实验室吴桂选研究员邀请，东北师范大学赵信刚教授来实验室访问交流，并作题为“宽禁带半导体缺陷的调控第一性原理研究”的学术报告。报告会由吴桂选研究员主持。

报告会上，赵信刚教授首先对宽禁带半导体材料的性质优势及应用领域进行了介绍。接下来对宽禁带半导体受主掺杂提升器件性能的物理机理进行了深入探讨，对电子调控策略进行了详细介绍。报告以Ga2O3体系为例，对宽禁带氧化物中缺陷的形成机制、电子结构及演化规律进行了解析，重点揭示了自补偿效应的微观物理机制；对基于能带调控策略的宽禁带半导体材料设计方法，采用孤对电子的反键特性和几何结构调控，开发兼具p型导电和超宽禁带特性材料相关工作进行了详细介绍；对发展氧化物机器学习势，模拟缺陷动力学演变机制相关工作进行了详细探讨。问答环节，赵信刚教授对现场师生提出的“掺杂手段如何用于催化剂的物化性能调控”、“材料结构热力学稳定性及动力学稳定性的系统描述”等问题进行了逐一回答和深入探讨。

赵信刚，东北师范大学物理学院教授、博士生导师、国家级青年人才。长期从事光电功能材料的理论设计与方法开发，主持参与面上项目、国家重点研发项目、国家自然科学基金重大研究计划项目等。已在JACS.Joule、Materials Today、InFoMat、Science Bulletin、ACS Nano、ACS Photonics等期刊上发表论文30余篇，获批材料设计相关软件著作权3项。主导开发了人工智能辅助、数据驱动材料设计软件包JAMIP。